化合物半導體應在LED或電子器件中廣泛用于節(jié)能，其功能與其層狀結構有關。與多層蛋糕不同的是，我們不能夠對晶圓進行切片以查看其內部。這種情況下，您可以求助于無損的薄膜測量技術，例如X射線衍射法（XRD）。

對于半導體和單晶晶圓，無論是用于生長研究還是芯片設計，使用高分辨X射線衍射對結構層質量、厚度、應力和合金組分進行測量的過程已成為電子和光電子多層半導體芯片的研發(fā)核心所在。

研發(fā)基地的測量工具基礎設施不同于制造基地

通常，化合物半導體公司要發(fā)展為成熟的公司，需要經歷一個從實驗室研究逐步發(fā)展到晶圓廠生產的發(fā)展過程。而晶圓廠和大多數研究實驗室的顯著差異在于設備的性能標準不同，這是由于伴隨質量要求的提升而必須達到的標準發(fā)生變化所致。另一個與實驗室研發(fā)的不同點是：生產企業(yè)為了增加利潤，減少人工參與需求和進一步降低污染，將更多地采用自動化生產。

如何實現從實驗室到晶圓廠的方法轉移？

馬爾文帕納科了解化合物半導體外延片和器件制造商對XRD解決方案的需求。無論客戶處于從開發(fā)到生產的哪個階段，馬爾文帕納科均可為其提供支持系統(tǒng)。

MRD XL高分辨衍射儀采用*模塊化設計，在研發(fā)初期，您可以使用儀器核心檢測部分用于研發(fā)，然后在投產后增購晶圓片生產專用附件和軟件。該方法可避免因“固定”解決方案耗巨額初期費用。

馬爾文帕納科憑借多年經驗，通過制造具有前瞻性和靈活性的檢測設備，可始終滿足客戶和市場發(fā)展需求

擁有能跟上產品及制造商發(fā)展步伐的測量設備可提高企業(yè)利潤！

這不但是對于在一臺機器上生產多個不同產品線產品的小型晶圓廠，且對于測量復雜性日益增大的大型晶圓廠同樣適用。MRD XL可靈活用于從研究到中試規(guī)模生產，最后再到大規(guī)模生產，并在不斷進化的過程中，逐步提高MRD XL的測量能力，使企業(yè)考慮成本支出、預算和時限，有了更大的靈活性。

手動將晶圓片放入測量設備需要大量人力，且可重復性低于裝有預校準裝置的機器人

自動化顯然是實現所需潔凈室環(huán)境的重要因素。隨著機器人能力不斷進步，也許會出現無需人為干預的“熄燈”工廠，屆時相關SEMI標準的重要性肯定會有所提升。我們需要遵循更多的要求，例如SEMI E5（SECS-Ⅱ）和E30（GEM）標準，其為設備和主機或通信公司之間進行通信所適用的關鍵協議。

MRD XL是由一個包含測量室的基本模塊和一個具有自動化功能的前端模塊組成，從而將實驗室測量功能（例如在晶圓片表面進行的In-plane測量）整合到規(guī)模生產方法中去

在快速發(fā)展的半導體行業(yè)中，決策必須著眼于未來。對于選擇與馬爾文帕納科合作的芯片制造商和開發(fā)人員而言，這不是一個值得擔心的問題，因為它永遠不必擔憂投資從實驗室到晶圓廠的設備很快會被新型號所取代。馬爾文帕納科的解決方案以數十年的經驗和豐富的專業(yè)知識為基礎，可輕松運行超過十年。

化合物半導體已取得了一定的發(fā)展，例如出現了“熄燈”工廠、向更大晶圓尺寸的轉型以及化合物半導體中超晶格復雜性的提升，它還將有更加難以預料且與眾不同的發(fā)展。馬爾文帕納科會不斷進行軟硬件改進和升級，以確保我們的客戶及解決方案可隨時應對和戰(zhàn)勝未來的挑戰(zhàn)。

X'Pert³ MRD/ XL 高分辨X射線衍射儀