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磨料用SiO2漿料的顆粒粒度對(duì)硅晶片的微觀形貌有直接影響，進(jìn)而會(huì)影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性；此外，漿料的穩(wěn)定性也會(huì)影響晶片拋光過程，所以磨料的顆粒表征非常重要，本文介紹了利用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)（DLS）和電泳光散射技術(shù)（ELS）對(duì)硅基漿料的顆粒粒度和Zeta電位進(jìn)行表征的實(shí)驗(yàn)及結(jié)果討論。01丨背景介紹磨料漿液用于去除硅晶片表面的材料和不規(guī)則形貌。這樣做是為了在硅片表面形成附加電路元件。晶片的微觀形貌與所用漿料的粒度分布有關(guān)，因?yàn)榱６葧?huì)影響隨后加工的電介質(zhì)膜的均勻性[1]。漿料...

激光粒度分布儀是一種集光、機(jī)、電、計(jì)算機(jī)為一體的高科技產(chǎn)品，工作原理基于光散射原理。當(dāng)激光照射到顆粒上時(shí)，會(huì)產(chǎn)生衍射和散射現(xiàn)象。不同粒徑的顆粒會(huì)產(chǎn)生不同的散射光分布，通過檢測這些散射光的分布，可以反推出顆粒的粒徑分布。具體來說，激光粒度分布儀通過收集和分析散射光的信號(hào)，來確定顆粒的大小分布。通常由激光器、樣品池、光學(xué)系統(tǒng)、探測器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等部分組成。激光器發(fā)出的激光經(jīng)過光學(xué)系統(tǒng)聚焦后，照射到樣品池中的顆粒上。顆粒散射的光被光學(xué)系統(tǒng)收集，并聚焦到探測器上。探測器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換...

除了化學(xué)性之外，金屬粉末的物理特性還決定這增材制造的性能，包括粉末的整體特性和單個(gè)金屬顆粒的特性。關(guān)鍵的整體特性是指堆積密度和流動(dòng)性。堆積密度和流動(dòng)性受顆粒粒度和形狀等形態(tài)特性的影響。本文將介紹顆粒粒度顆粒大小與形狀與粉末關(guān)鍵特性的關(guān)系，及其測量手段。01丨顆粒形狀和粉末流動(dòng)性的關(guān)系金屬粉末關(guān)鍵的整體特性是堆積密度和流動(dòng)性。堆積一致可提供高密度粉末，確保生產(chǎn)的組件缺陷少、質(zhì)量一致。另一方面，流動(dòng)性與工藝效率有著更密切的聯(lián)系。影響流動(dòng)性的顆粒特性包括剛度、孔隙度、表面織構(gòu)、密度...

納米顆粒跟蹤分析儀是一種基于光散射和布朗運(yùn)動(dòng)原理，用于檢測和分析液體懸浮液中納米顆粒粒度分布、濃度及zeta電位的先進(jìn)儀器。是利用納米顆粒在懸濁液中受到周邊溶液分子的撞擊而做無規(guī)則的布朗運(yùn)動(dòng)的特性。儀器通過一束能量集中的激光照亮溶液中的顆粒，并通過光學(xué)顯微鏡收集納米顆粒的散射光信號(hào)，觀察并跟蹤其布朗運(yùn)動(dòng)軌跡。通過對(duì)這些軌跡進(jìn)行分析，利用二維Stokes-Einstein方程可以計(jì)算出顆粒的流體力學(xué)半徑，進(jìn)而得到粒度分布、濃度等信息。納米顆粒跟蹤分析儀的技術(shù)性能：1、高靈敏度低...

x射線熒光光譜儀是一種快速的、非破壞式的物質(zhì)測量方法。其基本原理是利用高能量X射線或伽瑪射線轟擊材料時(shí)激發(fā)出次級(jí)X射線，即X射線熒光。當(dāng)這些高能射線與樣品中的原子相互作用時(shí)，會(huì)將原子內(nèi)層的電子擊出，導(dǎo)致外層電子躍遷到內(nèi)層。當(dāng)外層電子返回基態(tài)時(shí)，會(huì)釋放出特征X射線，這些特征X射線的能量或波長與元素的種類有關(guān)。通過檢測這些特征X射線，可以確定樣品中存在的元素種類及其含量。x射線熒光光譜儀的維護(hù)與保養(yǎng)措施：一、日常清潔表面清潔作用：保持儀器外觀整潔，防止灰塵等雜質(zhì)影響儀器散熱和外部...